O transistor bipolar de heterojunção (HBT) é um tipo de transistor de junção bipolar (BJT) que utiliza diferentes materiais semicondutores para as regiões emissoras e base, fazendo uma heterojunção. O HBT pode lidar com sinais de freqüências muito mais altas (até várias centenas de GHz) do que o BJT. O HBT é comumente usado em circuitos ultra-rápidos modernos, na maioria sistemas de radiofreqüência (RF), e em aplicações que requerem uma alta eficiência de potência, como amplificadores de potência RF em telefones celulares. A idéia de usar uma heterojunção é tão antiga quanto o BJT convencional, datando de uma patente de 1951.