Semicondutor do tipo N
Um semicondutor do tipo N é um tipo de material usado em eletrônica.
É feita adicionando uma impureza a um semicondutor puro, como o silício ou o germânio. As impurezas utilizadas podem ser fósforo, arsênico, antimônio, bismuto ou algum outro elemento químico. Elas são chamadas de impurezas doadoras. A impureza é chamada de doador porque dá um elétron livre a um semicondutor. O objetivo de fazer isto é disponibilizar mais portadores de carga, ou fios de elétrons no material para a condução. O material final é muito mais condutor do que o silício original ou o germânio.
Introdução
Materiais semicondutores como silício e germânio têm quatro elétrons em seu invólucro externo. O invólucro externo dos elétrons é chamado de invólucro de valência. Os quatro elétrons são usados pelo átomo semicondutor para formar ligações com seus átomos vizinhos. Isto deixa um baixo número de elétrons disponíveis para a condução.
Os elementos pentavalentes são aqueles elementos que têm cinco elétrons em seu invólucro externo. Para fazer o semicondutor tipo n, são adicionadas impurezas pentavalentes como fósforo ou arsênico. Quatro das impurezas dos elétrons formam ligações com os átomos de silício ao redor. Isto deixa um elétron livre. O material resultante tem um grande número de elétrons livres. Como os elétrons são portadores de carga negativa, o material resultante é chamado de um semicondutor do tipo n (ou tipo negativo). A impureza pentavalente que é adicionada é chamada de 'dopante' e o processo de adição é chamado de 'doping'.
Fabricação
Os semicondutores do tipo N são fabricados por dopagem de material semicondutor puro. A quantidade de impureza adicionada é muito pequena em comparação com a quantidade de semicondutores. A maneira como este novo semicondutor funciona é alterada pelo controle da quantidade do dopante.
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